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三菱電機(jī)盛裝亮相PCIM 2010中國(guó)電力電子展覽會(huì)。與其國(guó)際性、先驅(qū)性一致,三菱電機(jī)展臺(tái)設(shè)計(jì)也獨(dú)樹一幟 - 大方、氣勢(shì),盡顯低碳、節(jié)能主題,因而也吸引大量專業(yè)觀眾駐足交流。此次展覽會(huì)期間,三菱電機(jī)于6月1日下午、6月3日上午分別舉辦了新產(chǎn)品發(fā)布及最技術(shù)介紹活動(dòng),吸引了眾多觀眾參加。此次活動(dòng)的主題為倡導(dǎo)低碳生活的三菱功率模塊。
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無(wú)
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所屬類別:
(不超過(guò)20項(xiàng))
電源產(chǎn)品分類
:
UPS電源
穩(wěn)壓電源
EPS電源
變頻電源
凈化電源
特種電源
發(fā)電機(jī)組
開關(guān)電源(AC/DC)
逆變電源(DC/AC)
模塊電源(DC/DC)
電源應(yīng)用分類
:
通信電源
電力電源
車載電源
軍工電源
航空航天電源
工控電源
PC電源
LED電源
電鍍電源
焊接電源
加熱電源
醫(yī)療電源
家電電源
便攜式電源
充電機(jī)(器)
勵(lì)磁電源
電源配套分類
:
功率器件
防雷浪涌
測(cè)試儀器
電磁兼容
電源IC
電池/蓄電池
電池檢測(cè)
變壓器
傳感器
軸流風(fēng)機(jī)
電子元件
連接器及端子
散熱器
電解電容
PCB/輔助材料
新能源分類
:
太陽(yáng)能(光伏發(fā)電)
風(fēng)能發(fā)電
潮汐發(fā)電
水利發(fā)電
燃料電池
其他類
:
其他
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內(nèi) 容:
<P> 三菱電機(jī)盛裝亮相PCIM 2010中國(guó)電力電子展覽會(huì)。與其國(guó)際性、先驅(qū)性一致,三菱電機(jī)展臺(tái)設(shè)計(jì)也獨(dú)樹一幟 - 大方、氣勢(shì),盡顯低碳、節(jié)能主題,因而也吸引大量專業(yè)觀眾駐足交流。 </P> <P> 此次展覽會(huì)期間,三菱電機(jī)于6月1日下午、6月3日上午分別舉辦了新產(chǎn)品發(fā)布及最技術(shù)介紹活動(dòng),吸引了眾多觀眾參加。此次活動(dòng)的主題為倡導(dǎo)低碳生活的三菱功率模塊。 </P> <P> 作為電力電子業(yè)內(nèi)的先鋒,三菱電機(jī)也是PCIM研討會(huì)的最佳論文獎(jiǎng)的贊助商。 </P> <P align=center><IMG src="/uploadfile/newspic/2010/201006/20100621151836893.jpg" border=0> </P> <P> 三菱電機(jī)半導(dǎo)體產(chǎn)品包括三菱功率模塊(IGBT、IPM、DIPIPMTM、HVIGBT、MOSFET等)、三菱微波/射頻和高頻光器件、光模塊等產(chǎn)品,其中三菱功率模塊在電機(jī)控制、電源和白色家電的應(yīng)用中有助于您實(shí)現(xiàn)變頻、節(jié)能和環(huán)保的需求;而三菱系列光器件和光模塊產(chǎn)品將為您在各種模擬/數(shù)字通訊、有線/無(wú)線通訊等應(yīng)用中提供解決方案。 </P> <P> 此次展會(huì)期間,三菱電機(jī)推出的三款新型的HVIGBT模塊包括:3300V R系列、6500V R系列和4500VR系列,為軌道牽引和大功率工業(yè)驅(qū)動(dòng),帶來(lái)更高性能、超可靠、低損耗的技術(shù)。 </P> <P> 三菱電機(jī)針對(duì)軌道牽引和大功率工業(yè)驅(qū)動(dòng)的需要,特別設(shè)計(jì)了具有優(yōu)良性能的HVIGBT模塊,尤注重?fù)p耗低、額定電流大以及運(yùn)行結(jié)溫范圍大的特性,同時(shí)具備良好的開關(guān)控制特性以降低電磁干擾(EMI)。本次推出的三款HVIGBT模塊完全符合這些要求,并已經(jīng)取得國(guó)際鐵路行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(IRIS) 認(rèn)證。 </P> <P align=center><IMG src="/uploadfile/newspic/2010/201006/20100621152140958.jpg" border=0> </P> <P> 3300V R系列HVIGBT模塊采用LPT(Light Punch-Through)-HVIGBT硅片和軟恢復(fù)高壓二極管硅片的組合,在不影響模塊的短路魯棒性前提下,該新型模塊的飽和壓降與關(guān)斷損耗折衷特性得到了25%的改善。 </P> <P> 新型二極管的使用減小了反向恢復(fù)電流,且軟反向恢復(fù)特性維持了現(xiàn)有二極管設(shè)計(jì)的短路魯棒性,并具有良好的EMI性能。新的硅片技術(shù)大大降低了模塊的功率損耗,提高了模塊的額定電流,最大額定電流可高達(dá)1500A,而過(guò)往產(chǎn)品的最大額定電流只有1200A。實(shí)驗(yàn)證明,通過(guò)調(diào)節(jié)導(dǎo)通和關(guān)斷柵極電阻值可以在比較大范圍內(nèi)控制模塊的開關(guān)特性。 </P> <P> 6500V R系列HVIGBT模塊,其絕緣耐壓高達(dá)10.2k V(1分鐘交流有效值)。基板材料采用AlSiC,模塊的可靠性得到大大提高。一共有3種封裝形式,小型,中型和大型。6500V R系列 HVIGBT模塊的IGBT硅片具有漏電流小、功率損耗低、安全工作區(qū)(SOA)寬的特性,其二極管硅片具有軟反向恢復(fù)特性、功率損耗低和安全工作區(qū)(SOA)寬的特性,從而達(dá)至模塊的總的功率損耗低,可靠性高。 </P> <P> 新的R系列HVIGBT模塊還推出4500V R系列,電流分別有1200A和800A。新的R系列HVIGBT模塊硅片的運(yùn)行溫度上限由過(guò)去的125°C提高到150°C,模塊的儲(chǔ)存最低溫度從過(guò)去的-40°C降低到-50°C。■</P>