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<P> 賓夕法尼亞、MALVERN—2020年10月27日—日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代號:VSH)宣布,推出新型40 V n溝道MOSFET半橋功率級---SiZ240DT,可用來提高白色家電以及工業、醫療和通信應用的功率密度和效率。Vishay Siliconix SiZ240DT在小型PowerPAIR®3.3 mm x 3.3 mm單體封裝中集成高邊和低邊MOSFET,導通電阻和導通電阻與柵極電荷乘積,即功率轉換應用中MOSFET的重要優值系數(FOM)達到業界出色水平。</P> <P align=center><IMG border=0 src="/uploadfile/newspic/20201027160549469.jpg"></P> <P> SiZ240DT中的兩個TrenchFET®MOSFET內部采用半橋配置連接。SiZ240DT的通道1 MOSFET,通常用作同步降壓轉換器的控制開關,10 V時最大導通電阻為8.05 mΩ,4.5 V時為12.25 mΩ。通道2 MOSFET,通常用作同步開關,10 V時導通電阻為8.41 mΩ,4.5 V時為13.30 mΩ。這些值比緊隨其后的競品低16%。結合6.9 nC(通道1)和6.5 nC(通道2)低柵極電荷,導通電阻與柵極電荷乘積FOM比位居第二的器件低14%,有助于提高快速開關應用的效率。</P> <P> 日前發布的雙MOSFET比采用6 mm x 5 mm封裝的雙器件小65%,是目前市場上體積最小的集成產品之一。除用于同步降壓,DC/DC轉換半橋功率級之外,新型器件還為設計師提供節省空間的解決方案,適用于真空吸塵器、無人機、電動工具、家庭/辦公自動化和非植入式醫療設備的電機控制,以及電信設備和服務器的無線充電器和開關電源。</P> <P> 集成式MOSFET采用無導線內部結構,最大限度降低寄生電感實現高頻開關,從而減小磁器件和最終設計的尺寸。其優化的Qgd/Qgs比降低噪聲,進一步增強器件的開關特性。SiZ240DT經過100%Rg和UIS測試,符合RoHS標準,無鹵素。</P> <P> 新型雙MOSFET現可提供樣品并已實現量產,大宗訂貨供貨周期為12周。</P>