功率器件供應(yīng)趨緊 廠商全速擴充產(chǎn)線產(chǎn)能

    自新型功率MOSFET、IGBT器件問世以來，借助對新結(jié)構(gòu)、新技術(shù)的研究，通過緩解MOSFET、IGBT類器件在關(guān)態(tài)擊穿與開態(tài)導(dǎo)通之間的矛盾，使得這類產(chǎn)品能夠有效地滿足實際工程對高速、高擊穿電壓、高可靠性方面的要求。伴隨著制造技術(shù)進入到深亞微米時代，以SiC、GaN為代表的第三代功率器件正走向成熟，包含功率器件、功率集成電路、BCD工藝在內(nèi)的功率半導(dǎo)體技術(shù)正朝著高溫、高頻、低功耗、高功率容量，以及智能化、系統(tǒng)化、高度集成方向發(fā)展。

    根據(jù)IC Insights最新的調(diào)查報告，全球分立式功率晶體管市場在2012年受到整體經(jīng)濟形勢的影響出現(xiàn)大幅下滑之后，2013年正在此基礎(chǔ)上強勢反彈，預(yù)計今年全球功率晶體管市場的銷售額將增加7%，達到132億美元的規(guī)模，至2017年，全球分立式功率晶體管市場的營收將每年以8.5%左右的速度成長。功率器件市場之所以能夠重新步入高速發(fā)展的軌道，主要是由于在節(jié)能減排、綠色環(huán)保的新產(chǎn)業(yè)政策下，迫切要求對能源的利用率實現(xiàn)進一步的提升，功率器件作為提高能源轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵部件，將在當中發(fā)揮重要的作用。

    記者從廠商中了解到，2013年大部分功率器件廠商的出貨量均比去年同期出現(xiàn)了大幅的增長，這一勢頭有望持續(xù)到今年的第四季度，并且在市場持續(xù)放量以及某些外部因素的影響下，功率器件市場出現(xiàn)了暫時性供貨緊張的狀況。<