我國先進功率半導體器件研發(fā)獲突破

    我國先進功率半導體器件研發(fā)獲得重大突破。昨天，省科技廳組織來自中國工程院、中國科學院、清華大學、同濟大學等單位的院士、專家，在長沙對株洲南車時代電氣股份有限公司自主研制的3300V軌道交通用IGBT芯片進行了技術鑒定。專家組一致通過了該產(chǎn)品的技術鑒定，認為該技術和產(chǎn)品填補了國內(nèi)大功率IGBT芯片技術空白，達到國際先進水平。

    IGBT中文全名“絕緣柵雙極型晶體管”，是功率半導體器件第三次技術革命的代表性產(chǎn)品，廣泛應用于軌道交通、航空航天、船舶驅(qū)動、智能電網(wǎng)、電力電子、新能源汽車等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)領域，被業(yè)界譽為功率變流裝置的“CPU”、綠色經(jīng)濟的“核芯”。

    與其他工業(yè)用IGBT相比，軌道交通使用的大功率IGBT更具特殊性。因軌道交通工具牽引負荷重、運行環(huán)境復雜多變，要求相關器件能承受瞬間高壓大電流變化、能實現(xiàn)動態(tài)自動優(yōu)化、極高的安全可靠性等特性，技術要求相當高。此前，這項技術主要控制在國外企業(yè)手中，國內(nèi)雖然掌握了相關產(chǎn)品的模塊封裝技術，但芯片設計及工藝等關鍵核心技術依然未突破。而由南車時代電氣自主研制的3300V軌道交通用IGBT芯片產(chǎn)品，在地鐵和大功率電力機車上試用，分別安全穩(wěn)定運行65萬公里和50萬公里，產(chǎn)品性能優(yōu)良。<