半導(dǎo)體市調(diào)機(jī)構(gòu)Strategic Marketing Associates(SMA)最新報(bào)告提出警告，2005年上半全球逾20座新建晶圓廠展開裝機(jī)操作，未來陸續(xù)經(jīng)過試產(chǎn)、驗(yàn)證、導(dǎo)入量產(chǎn)階段后，恐導(dǎo)致2006年全球半導(dǎo)體產(chǎn)能過剩危機(jī)，其中尤以DRAM產(chǎn)業(yè)最為嚴(yán)重。
SMA總裁George Burns指出，自2003年下半年全球半導(dǎo)體景氣確定回暖后，半導(dǎo)體廠商陸續(xù)提高資本支出，展開新一波興建晶圓廠風(fēng)潮，不僅帶動(dòng)2004年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)高度增長(zhǎng)，以興建速度而言，目前這些新建晶圓廠均紛紛進(jìn)入裝機(jī)階段，例如超微(AMD)德勒斯登12寸廠Fab 36、中芯北京12寸廠Fab 4、特許(Chartered)最新12寸廠Fab 7等。
Burns表示，由于這些新建晶圓廠陸續(xù)將在2005年下半到2006年上半進(jìn)入量產(chǎn)階段，產(chǎn)能過剩危機(jī)浮現(xiàn)，恐怕會(huì)讓部份廠商難以支撐，尤其是以市況變化迅速的DRAM廠商，來得最為嚴(yán)重。
Burns指出，韓廠三星(Samsung)持續(xù)在景氣低迷之際，斥資投入12寸廠建設(shè)，以先進(jìn)制程導(dǎo)入內(nèi)存生產(chǎn)，包括DRAM與閃存(Flash)等，均占有極高的成本優(yōu)勢(shì)，三星若實(shí)施降價(jià)策略，其動(dòng)見觀瞻均會(huì)影響全球市場(chǎng)甚鉅。
此外，亞太地區(qū)可說是DRAM產(chǎn)業(yè)大本營(yíng)，也是晶圓代工產(chǎn)能重鎮(zhèn)，光是2005年亞太地區(qū)半導(dǎo)體廠商資本支出，便占全球一半，臺(tái)灣地區(qū)與韓國(guó)新一波DRAM產(chǎn)能即將陸續(xù)開出，盡管理論上廠商可延后投產(chǎn)進(jìn)程，但實(shí)際上，搶得先機(jī)也是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成功之道，只要終端市場(chǎng)需求遲遲未現(xiàn)，產(chǎn)能過剩危機(jī)便無法解除。
不過，臺(tái)灣地區(qū)多數(shù)DRAM晶圓廠對(duì)于這樣的說法提出質(zhì)疑，認(rèn)為就算2006年DRAM產(chǎn)業(yè)景氣無法像2004年那樣好，但也不至于太差，因?yàn)榈?006年多數(shù)DRAM廠將開始采用90納米制程，但到目前為止，除三星在90納米制程良率比佳外，多數(shù)DRAM廠在90納米良率上仍處于摸索期，這將使得DRAM總產(chǎn)出量因轉(zhuǎn)換至90納米制程而減少許多。
此外，自2005年下半起陸續(xù)有8寸廠因產(chǎn)出成本效益不如12寸廠，被迫退出量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM，而到2006年更是8寸廠大撤退的時(shí)間點(diǎn)，如此一來這些8寸廠因無法量產(chǎn)512Mb DDRII而需退出所造成的總產(chǎn)能喪失，將使得2006年DRAM產(chǎn)業(yè)應(yīng)不會(huì)過于悲觀。
至于晶圓代工方面，盡管2005年上半景氣欠佳，除臺(tái)積電外，其他晶圓代工廠商全數(shù)虧損，然因看好2010年前全球晶圓代工產(chǎn)值增長(zhǎng)率，可望高于整體半導(dǎo)體產(chǎn)值增長(zhǎng)率，計(jì)劃投入晶圓代工市場(chǎng)的廠商家數(shù)有增無減。
不過，包括臺(tái)積電及聯(lián)電均對(duì)于2006年景氣持樂觀看法，強(qiáng)調(diào)應(yīng)比2005年來得好，對(duì)于2006年景氣看法明顯不悲觀。此外，瑞薩科技社長(zhǎng)兼CEO伊藤達(dá)12日則表示，目前半導(dǎo)體景氣尚處于調(diào)整階段，市況仍相當(dāng)嚴(yán)峻，雖然夏季前可能會(huì)觸底反彈，然反彈速度緩慢。
SMA總裁George Burns指出，自2003年下半年全球半導(dǎo)體景氣確定回暖后，半導(dǎo)體廠商陸續(xù)提高資本支出，展開新一波興建晶圓廠風(fēng)潮，不僅帶動(dòng)2004年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)高度增長(zhǎng)，以興建速度而言，目前這些新建晶圓廠均紛紛進(jìn)入裝機(jī)階段，例如超微(AMD)德勒斯登12寸廠Fab 36、中芯北京12寸廠Fab 4、特許(Chartered)最新12寸廠Fab 7等。
Burns表示，由于這些新建晶圓廠陸續(xù)將在2005年下半到2006年上半進(jìn)入量產(chǎn)階段，產(chǎn)能過剩危機(jī)浮現(xiàn)，恐怕會(huì)讓部份廠商難以支撐，尤其是以市況變化迅速的DRAM廠商，來得最為嚴(yán)重。
Burns指出，韓廠三星(Samsung)持續(xù)在景氣低迷之際，斥資投入12寸廠建設(shè)，以先進(jìn)制程導(dǎo)入內(nèi)存生產(chǎn)，包括DRAM與閃存(Flash)等，均占有極高的成本優(yōu)勢(shì)，三星若實(shí)施降價(jià)策略，其動(dòng)見觀瞻均會(huì)影響全球市場(chǎng)甚鉅。
此外，亞太地區(qū)可說是DRAM產(chǎn)業(yè)大本營(yíng)，也是晶圓代工產(chǎn)能重鎮(zhèn)，光是2005年亞太地區(qū)半導(dǎo)體廠商資本支出，便占全球一半，臺(tái)灣地區(qū)與韓國(guó)新一波DRAM產(chǎn)能即將陸續(xù)開出，盡管理論上廠商可延后投產(chǎn)進(jìn)程，但實(shí)際上，搶得先機(jī)也是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成功之道，只要終端市場(chǎng)需求遲遲未現(xiàn)，產(chǎn)能過剩危機(jī)便無法解除。
不過，臺(tái)灣地區(qū)多數(shù)DRAM晶圓廠對(duì)于這樣的說法提出質(zhì)疑，認(rèn)為就算2006年DRAM產(chǎn)業(yè)景氣無法像2004年那樣好，但也不至于太差，因?yàn)榈?006年多數(shù)DRAM廠將開始采用90納米制程，但到目前為止，除三星在90納米制程良率比佳外，多數(shù)DRAM廠在90納米良率上仍處于摸索期，這將使得DRAM總產(chǎn)出量因轉(zhuǎn)換至90納米制程而減少許多。
此外，自2005年下半起陸續(xù)有8寸廠因產(chǎn)出成本效益不如12寸廠，被迫退出量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM，而到2006年更是8寸廠大撤退的時(shí)間點(diǎn)，如此一來這些8寸廠因無法量產(chǎn)512Mb DDRII而需退出所造成的總產(chǎn)能喪失，將使得2006年DRAM產(chǎn)業(yè)應(yīng)不會(huì)過于悲觀。
至于晶圓代工方面，盡管2005年上半景氣欠佳，除臺(tái)積電外，其他晶圓代工廠商全數(shù)虧損，然因看好2010年前全球晶圓代工產(chǎn)值增長(zhǎng)率，可望高于整體半導(dǎo)體產(chǎn)值增長(zhǎng)率，計(jì)劃投入晶圓代工市場(chǎng)的廠商家數(shù)有增無減。
不過，包括臺(tái)積電及聯(lián)電均對(duì)于2006年景氣持樂觀看法，強(qiáng)調(diào)應(yīng)比2005年來得好，對(duì)于2006年景氣看法明顯不悲觀。此外，瑞薩科技社長(zhǎng)兼CEO伊藤達(dá)12日則表示，目前半導(dǎo)體景氣尚處于調(diào)整階段，市況仍相當(dāng)嚴(yán)峻，雖然夏季前可能會(huì)觸底反彈，然反彈速度緩慢。
免責(zé)聲明：本文僅代表作者個(gè)人觀點(diǎn)，與電源在線網(wǎng)無關(guān)。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)本站證實(shí)，對(duì)本文以及其中全部或者部分內(nèi)容、文字的真實(shí)性、完整性、及時(shí)性本站不作任何保證或承諾，請(qǐng)讀者僅作參考，并請(qǐng)自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。
來源：hc360慧聰網(wǎng)
來源：hc360慧聰網(wǎng)
本文鏈接：半導(dǎo)體警訊 全球逾20座新廠展開裝機(jī)
http:www.sdytech.com/news/2005-5/20055149210.html
http:www.sdytech.com/news/2005-5/20055149210.html
0755-82905460
郵箱 
：
