中國(guó)，2021年9月9日——意法半導(dǎo)體的STDRIVEG600半橋柵極驅(qū)動(dòng)器輸出電流大，高低邊輸出信號(hào)傳播延遲相同，都是45ns，能夠驅(qū)動(dòng)GaN增強(qiáng)型FET高頻開(kāi)關(guān)。
STDRIVEG600的驅(qū)動(dòng)電源電壓高達(dá)20V，還適用于驅(qū)動(dòng)N溝道硅基MOSFET管，在驅(qū)動(dòng)GaN器件時(shí)，可以靈活地施加6V柵極-源極電壓(VGS)，確保導(dǎo)通電阻Rds(on)保持在較低水平。此外，驅(qū)動(dòng)器還集成一個(gè)自舉電路，可大限度降低物料清單成本，簡(jiǎn)化電路板布局。自舉電路使用同步整流MOSFET開(kāi)關(guān)管，使自舉電壓達(dá)到VCC邏輯電源電壓值，從而讓驅(qū)動(dòng)器只使用一個(gè)電源，而無(wú)需低壓降穩(wěn)壓器(LDO)。
STDRIVEG600的dV/dt為±200V/ns，確保柵極控制在惡劣的電氣環(huán)境中具有較高的可靠性。邏輯輸入兼容低至3.3V的CMOS/TTL信號(hào)，方便連接主微控制器或DSP處理器。高邊電路耐受電壓高達(dá)600V，可用于高壓總線(xiàn)高達(dá)500V的應(yīng)用領(lǐng)域。
驅(qū)動(dòng)器的輸出灌電流/拉電流為5.5A/6A，并提供獨(dú)立的導(dǎo)通和關(guān)斷引腳，讓設(shè)計(jì)人員可以選擇適合的柵極控制方式。此外，高低邊電路都支持與功率開(kāi)關(guān)源極相連的開(kāi)爾文連接方法，以增強(qiáng)控制性能。低邊驅(qū)動(dòng)器的專(zhuān)用接地和電源電壓引腳可實(shí)現(xiàn)開(kāi)爾文連接，確保開(kāi)關(guān)操作穩(wěn)定，并允許使用分流電阻器檢測(cè)電流，而無(wú)需額外的隔離或輸入濾波電路。
驅(qū)動(dòng)器內(nèi)置完備的安全保護(hù)功能，其中，高低邊驅(qū)動(dòng)欠壓鎖定(UVLO)可以防止功率開(kāi)關(guān)管在低效率或危險(xiǎn)工況下運(yùn)行；互鎖保護(hù)可以避免開(kāi)關(guān)管交叉導(dǎo)通。其他保護(hù)功能包括過(guò)熱保護(hù)、省電關(guān)閉功能專(zhuān)用引腳。
STDRIVEG600適用于高壓PFC、DC/DC和DC/AC變換器、開(kāi)關(guān)電源、UPS電源系統(tǒng)、太陽(yáng)能發(fā)電，以及家用電器、工廠(chǎng)自動(dòng)化和工業(yè)驅(qū)動(dòng)設(shè)備的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制等應(yīng)用。
驅(qū)動(dòng)器有兩款配套開(kāi)發(fā)板，幫助設(shè)計(jì)人員快速啟動(dòng)新項(xiàng)目，其中，EVSTDRIVEG600DG板載一個(gè)150mΩ650V GaN HEMT晶體管，該晶體管采用5mm x 6mm PowerFLAT封裝，帶有Kelvin驅(qū)動(dòng)源引腳；EVSTDRIVEG600DM開(kāi)發(fā)板配備一個(gè)STL33N60DM2內(nèi)置快速恢復(fù)二極管的MDmesh 115mΩ600V硅基MOSFET功率開(kāi)關(guān)，該晶體管采用帶有Kelvin驅(qū)動(dòng)源引腳的8mm x 8mm PowerFLAT封裝或者DPAK封裝。