羅姆展出閾值電壓+2.8V的縱向GaN類(lèi)MOSFET

　　羅姆試制出使用GaN底板的常閉型縱向結(jié)構(gòu)GaN類(lèi)MOSFET，并進(jìn)行了動(dòng)作演示。其特點(diǎn)是“閾值電壓為+2.8V，正合適”。

　　閾值電壓越低，就越容易在低電壓下導(dǎo)通。不過(guò)，如果閾值太低，有時(shí)就會(huì)在噪聲影響下無(wú)意識(shí)地導(dǎo)通。“HEMT結(jié)構(gòu)的常閉型GaN類(lèi)晶體管，其閾值電壓只有+1V左右”。因此，此次將閾值電壓提高到+2.8V，與現(xiàn)有的Si材料功率MOSFET相同。這一數(shù)值是通過(guò)改進(jìn)外延生長(zhǎng)法和柵極氧化膜制作法實(shí)現(xiàn)的。

　　柵極電壓為10V時(shí)，試制品的導(dǎo)通電阻為20mΩcm2。今后計(jì)劃進(jìn)一步降低導(dǎo)通電阻。解說(shuō)員自信地說(shuō)“有望降至1mΩcm2”。還將提高耐壓，“將依次提高600V、900V”