中國窮學(xué)生發(fā)明新晶體管技術(shù)震驚世界

    國外媒體報道，美國倫斯勒理工學(xué)院中國博士生WeixiaoHuang發(fā)明了一種新的晶體管技術(shù)，新晶體管技術(shù)有望取代高功率和高溫電導(dǎo)特性的硅晶體管，新晶體管技術(shù)目前已經(jīng)引起了美國和日本一些大汽車公司的注意。

    Huang出身低微，是中國鄉(xiāng)下一位農(nóng)民的兒子，2001年畢業(yè)于北京大學(xué)，2003年獲倫斯勒理工學(xué)院碩士學(xué)位，這兩天將拿到倫斯勒理工學(xué)院博士學(xué)位。

    一些基于鎵的材料具有某些極其出色的電氣特性，遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于硅，但是要制造出晶體管來比較困難，Huang開發(fā)出了一種使用鎵氮化物（GaN）混合材料的新晶體管，它具有非常好的物理屬性，可以大大降低功耗，改善電子系統(tǒng)的效率，也能夠工作在高溫、大功率乃至產(chǎn)生輻射的嚴(yán)苛環(huán)境下，在各種電子設(shè)備、汽車動力、家用設(shè)備等里面都有廣闊的應(yīng)用前景。