中國南車大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地奠基

    近日，中國南車集團(tuán)大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地奠基，標(biāo)志著我國首條8英寸IGBT芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目正式啟動。

    該項(xiàng)目設(shè)計(jì)年產(chǎn)8英寸芯片12萬片、IGBT模塊100萬只。這將使中國南車成為國內(nèi)唯一掌握IGBT芯片設(shè)計(jì)—芯片制造—模塊封裝—系統(tǒng)應(yīng)用完整產(chǎn)業(yè)鏈的企業(yè)，填補(bǔ)了國內(nèi)相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的空白。

    IGBT(新型功率半導(dǎo)體器件——絕緣柵雙極型晶體管)是功率半導(dǎo)體器件第三次技術(shù)革命的代表性產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于軌道交通、航空航天、船舶驅(qū)動、智能電網(wǎng)、電力電子、新能源汽車等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，是節(jié)能技術(shù)和低碳經(jīng)濟(jì)的主要支撐，被業(yè)界譽(yù)為功率變流裝置的“CPU”、綠色經(jīng)濟(jì)的“核芯”，市場發(fā)展前景光明。

    目前國內(nèi)IGBT的主要供應(yīng)商為外國廠商。為支持我國企業(yè)技術(shù)突圍，IGBT成為國家產(chǎn)業(yè)政策重點(diǎn)支持和扶持的重大科技項(xiàng)目。

    大功率IGBT產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項(xiàng)目，由中國南車株洲電力機(jī)車研究所具體實(shí)施，項(xiàng)目總投資14億元，占地160畝，預(yù)計(jì)2013年正式投產(chǎn)。建成后，該基地將具備年產(chǎn)12萬片8英寸IGBT芯片和100萬只大功率IGBT器件的能力，年產(chǎn)值超過20億元，其產(chǎn)業(yè)規(guī)模和技術(shù)實(shí)力均超過國內(nèi)已有水平，達(dá)到國際領(lǐng)先水平。g