| 內 容： |
東芝日前開發出了導通電阻僅4Ωmm2的功率MOSFET產品“TK15A60S”，導通電阻比原產品降低了約60%。柵-漏極間的寄生電容為27nC，作為功率MOSFET開關特性指標的Ron×Qgd（導通電阻與柵-漏極間寄生電容的乘積）比該公司原產品降低約1/4。Ron×Qgd為“業界最低”（東芝）。主要面向電視機等家電類AC適配器等領域。耐壓600V。源-漏極間的額定電流為15A。閾值電壓為＋3.0V～＋5.0V。2005年3月23日開始供應樣品，計劃從4月開始以月產100萬個的規模投入量產。
為了降低導通電阻與寄生電容，此次采用了名為“Super Junction結構”的豎型晶體管結構。作為普通的豎型晶體管結構，為了降低導通電阻而提高n型雜質濃度后，耐壓便會隨之下降。而Super Junction結構的耐壓本來就可以設計得很高，即便提高雜質濃度，也能夠在不犧牲耐壓的情況下降低導通電阻。采用Super Junction結構的功率MOSFET，德國英飛凌科技等歐美廠商已經開始投產。此次，東芝在業界首次采用一項在元件中設計深溝道（deep trench）的溝道技術，形成了Super Junction結構。采用深溝道技術，可以簡化Super Junction結構的形成工藝。 |
|